三星超六成V-NAND产能供英伟达

IT之家7月22日消息，据韩媒sedaily报道，三星电子正大幅扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，将超过60%的V-NAND产能供应给英伟达。V-NAND是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构，与平面NAND相比，可在相同芯片面积内容纳更多存储层，主要应用于企业级SSD、数据中心存储和高容量移动存储产品。报道指出，随着AI服务器规模持续扩大，临时上下文数据（Key-Value cache，即KV缓存）规模急剧膨胀，已开始形成数据瓶颈。英伟达希望通过Context Memory Storage（CMX）技术缓解这一限制，而三星已成为该方案的NAND核心供应商。目前英伟达用于AI服务器的CMX搭载576块SSD，总存储容量达到9600TB。业内预计，CMX所需的NAND需求在2026年将达到3500万TB，而2027年将激增至1亿TB以上，增长近三倍。为满足爆发式需求，三星正加速推进第九代（V9）和第十代（V10）V-NAND闪存技术的研发与量产，以提升产能和性能。这一合作不仅巩固了三星在NAND市场的领导地位，也意味着英伟达正在将存储系统作为AI基础设施的关键环节，从单纯算力瓶颈转向存储瓶颈的解决路径。