氧化镓外延片突破超越日企

杭州镓仁半导体有限公司发布重要进展，其自主研发的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的SBD（肖特基势垒二极管）器件制备与性能验证。本次验证所使用的厚膜外延片具体参数为：外延层厚度10微米，载流子浓度1×10¹⁶ cm⁻³。验证结果显示，该器件在击穿电压（衡量功率器件耐压能力的关键指标）和导通特性方面表现优异，核心参数达到国际先进水平，其中关键指标显著优于日本头部企业的同类器件。击穿电压是衡量功率器件耐压能力的核心参数，本次验证结果意味着国产氧化镓材料在高压功率应用领域具备了与国际巨头竞争的实力。镓仁半导体表示，目前该外延片已实现持续现货供应，能够为下游器件研发与量产提供稳定、即时的材料保障。这一突破有助于突破国外技术封锁，加速我国在超宽禁带半导体领域的自主可控进程。氧化镓作为第四代半导体材料，具有更大的禁带宽度（约4.8eV）和更高的临界击穿场强，相比碳化硅和氮化镓，在高压、高温、高频电力电子领域潜力更大，尤其适用于电动汽车、智能电网、工业电机等大功率场景。此次器件验证结果不仅证明了国产氧化镓同质外延材料的质量，也为后续大规模商用铺平了道路。