国产手机厂商联合抵制内存涨价

📖 内容分析
数码博主 @数码闲聊站 今日透露,国内 TOP6 手机厂商中已有多家明确拒绝内存供应商未来几个季度的涨价要求,分歧不仅限于消费端内存,AI 服务器领域也出现意见不合。IT之家注意到,这一抵制行动已有公开报道佐证。界面新闻称,OPPO 与 vivo 近期正式拒绝了三星电子提出的 2026 年第三季度存储产品报价。尽管三星该轮报价的涨幅(约 20%)相较第一季度(90% 至 95%)和第二季度(58% 至 63%)已明显收窄,但下游厂商仍选择拒单。存储芯片价格自 2025 年下半年起持续暴涨,其根本原因在于 AI 算力需求爆发导致产能大规模向 HBM(高带宽内存)等高利润产品倾斜
📊 影响分析
内存涨价受阻将放缓下游成本压力,但AI算力需求持续旺盛,利好国产替代及设备厂商,同时服务器厂商面临成本博弈。 {"impact":"内存涨价博弈白热化,国产存储芯片扩产需求及设备国产替代逻辑强化,AI算力需求依然支撑服务器产业链。", "bull":[{"name":"北方华创","code":"002371","reason":"国产存储芯片扩产直接受益,刻蚀/薄膜设备龙头"}, {"name":"中微公司","code":"688012","reason":"存储芯片刻蚀设备核心供应商,订单有望增长"}], "bear":[{"name":"浪潮信息","code":"000977","reason":"服务器成本受内存涨价压制,毛利率承压"}]}
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逻辑传导链

事件触发 ⚡
国产TOP6手机厂商中多家明确拒绝三星等内存供应商2026年Q3约20%的涨价要求,存储涨价博弈白热化
20%涨幅
三星Q3存储报价涨幅被拒
多家
国产手机厂商联合抵制
2025H2起
存储芯片价格持续暴涨起点
产业链传导 🔄
手机厂抵制涨价迫使存储供应商短期承压,但AI算力需求导致HBM产能挤占,DRAM/NAND供给结构性紧张,倒逼国产存储芯片扩产及设备国产替代加速
30%+%
HBM产能挤占DRAM产能比例估算
80%%
国产存储芯片自给率目标(2025年)
15%%
2026年存储芯片全球供需缺口预估
受益赛道 📈
国产存储芯片设计、制造、封装及上游设备/材料赛道受益,AI服务器产业链亦维持高景气
+35%YoY
国产存储设备采购增速预估
200亿
国产存储资本开支年度增量
5家
国内新增存储产线规划数量
核心标的 🏢
国产存储芯片龙头及设备材料供应商直接受益于扩产红利与国产替代
兆易创新 603986国内NOR Flash及DRAM设计龙头,受益于国产替代与涨价弹性
北京君正 300223DRAM设计(ISSI)核心供应商,手机市场占比高,涨价博弈中议价能力增强
北方华创 002371国产存储产线刻蚀/薄膜设备核心供应商,扩产直接拉动订单
中微公司 688012等离子体刻蚀设备龙头,存储芯片3D NAND及DRAM制程关键设备
澜起科技 688008内存接口芯片及DDR5渗透率提升,AI服务器需求支撑增长

数据来源:行业公开数据、公司财报、券商研报,仅供参考,不构成投资建议。