三星HBM5将用2nm基础裸片

📖 内容分析

根据三星半导体官方今日发布的人物访谈，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠进一步确认，三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 的基础裸片。三星电子存储器业务开发副总裁 황상준 今年 3 月也进行了类似表态。구자흠提到，HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。该内存堆栈选择 2nm

📊 影响分析

三星HBM5采用2nm基础裸片，将带动先进封装和2nm制程相关设备需求，利好中国半导体设备及AI服务器厂商。

数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。