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台达与英飞凌签20亿美元碳化硅长协
产研7*24
·
40分钟前
·
芯片与算力
📖 内容分析
据台媒《经济日报》7月27日援引市场消息报道,台达电子(Delta)与全球功率半导体龙头英飞凌(Infineon)签署了一份总价值达20亿美元(约合135.55亿元人民币)的碳化硅(SiC)供应长期协议(LTA),这也是台达多年来首次签订此类长期协议。碳化硅作为第三代半导体材料,在功率半导体领域具有显著优势:相较于传统硅基器件,碳化硅可承受更高电压、更高频率,同时导通电阻更低,能大幅降低能量转换过程中的损耗,提升系统整体效率。在数据中心电力架构中,碳化硅是HVDC(高压直流)供电方案的关键材料,因为HVDC需要高效、紧凑的功率转换器件。此外,支持调控的固态变压器(SST)作为数据中心电力技术迭代的热点,同样高度依赖碳化硅器件来实现高频、高功率密度转换。台达作为全球领先的电源管理与散热解决方案提供商,近年积极布局AI数据中心基础设施,此次锁定英飞凌的碳化硅长期供应,旨在保障其下一代高效率电源产品的稳定生产,以应对AI算力中心爆发式增长的电力需求。协议总金额巨大,反映了数据中心电源市场对碳化硅需求已进入规模化阶段。
📊 影响分析
台达与英飞凌碳化硅长协将加速数据中心电源升级,利好碳化硅产业链设备及服务器电源厂商,但对传统光模块等无直接拉动。
🔗
逻辑传导链
事件触发 ⚡
台达电子与英飞凌签署总价值约20亿美元的碳化硅长期供应协议,锁定数据中心电源用SiC器件产能
20
亿美元
LTA总额
5
年
长约期限(估计)
4
亿美元/年
年均采购金额
产业链传导 🔄
SiC产能被长协锁定,英飞凌扩产信心增强→上游衬底/外延需求持续旺盛→下游数据中心电源厂商加速采用SiC替代传统硅器件
3-5
%
SiC vs Si效率提升幅度
40
%
数据中心电源SiC渗透率(2027E)
15
%
台达数据中心电源业务增速(预期)
受益赛道 📈
碳化硅衬底/外延、功率器件(SiC MOSFET/模块)、服务器电源模块及HVDC/固态变压器方案商直接受益
120
亿美元
全球SiC市场2028年规模
35
%
全球SiC年复合增速
2.5
倍
数据中心电源领域SiC用量增长(2026 vs 2024)
核心标的 🏢
A股SiC功率器件与衬底龙头、服务器电源模块厂商将获得订单与估值提升
斯
斯达半导 603290
国内SiC模块龙头,已进入台达供应链,有望受益于LTA带来的产能配套
天
天岳先进 688234
SiC衬底国内领先,英飞凌扩产将拉动衬底外购需求,公司已通过国际认证
时
时代电气 688187
布局SiC器件与模块,背靠中车,数据中心电源领域拓展顺利
麦
麦格米特 002851
服务器电源模块核心供应商,直接受益数据中心电源升级,SiC方案导入中
欧
欧陆通 300870
高功率服务器电源领军,与台达竞争合作,HVDC及固态变压器布局加速
数据来源:行业公开数据、公司财报、券商研报,仅供参考,不构成投资建议。