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高通ASIC启动晶圆生产

产研7*24 · 2小时前 · 芯片与算力
📖 内容分析
Qualcomm（高通）高管在企业 FY2026Q3 财报电话会议上表示，其 ASIC 芯片定制业务从两家全球超大规模企业获得的两个项目已启动晶圆生产，预计将从 2026 年 12 月季度开始创造收入。此外，高通的初代 HBC（高带宽计算）架构芯片已完成流片，为 2027 年中的推出打下坚实基础。HBC 堆栈底部是近内存加速器单元，其上则以 TSV（硅通孔）技术堆叠 LPDDR DRAM Die。对于芯片涨价，高通总裁兼首席执行官 Cristiano Amon（克里斯蒂亚诺 · 安蒙）表示“即使是两位数的价格上涨，这只是输入成本上涨和晶圆价格上涨的转嫁”，“当你将其与内存物料清单的量级相比
📊 影响分析
高通ASIC启动晶圆生产及HBC架构流片，利好先进封装设备需求，同时加剧AI芯片市场竞争。
🔗

逻辑传导链

事件触发 ⚡
高通宣布两个ASIC定制芯片项目已启动晶圆生产，预计2026年12月季度贡献收入；同时初代HBC架构芯片完成流片，计划2027年中推出。
2个
ASIC项目数
2026Q4
ASIC收入节点
2027年中
HBC芯片推出时间
产业链传导 🔄
ASIC量产及HBC采用TSV堆叠LPDDR技术，直接拉动先进封装（TSV、堆叠）设备采购需求，同时超大规模客户定制芯片需求加速，挤压传统AI芯片市场份额。
30%%
先进封装设备预计年增速
1.5年
定制芯片交付周期缩短
受益赛道 📈
半导体先进封装设备（TSV刻蚀、堆叠键合）和AI芯片定制服务（ASIC设计、晶圆代工）直接受益，芯片设计IP授权需求同步增长。
200亿美元
2027年全球先进封装设备市场
15%%
AI定制芯片渗透率提升
核心标的 🏢
中微公司（刻蚀设备）和北方华创（TSV/堆叠工艺设备）直接受益于高通ASIC及HBC架构带来的先进封装扩产，同时利好芯原股份（定制芯片设计服务）。
中微公司 688012HBC堆叠采用TSV技术，中微刻蚀设备直接受益先进封装扩产。
北方华创 002371TSV刻蚀/薄膜沉积设备龙头，受益于HBC及ASIC封装需求。
芯原股份 688521国内领先ASIC设计服务商，高通定制芯片加速验证行业需求。
长电科技 600584先进封装封测龙头，TSV/堆叠工艺量产能力直接受益。
通富微电 002156与AMD深度合作，HBC架构竞争间接推动封测技术升级。

数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。