DRAM紧缺延续至2027，NAND趋松

原文内容概括缩写：2024年7月30日，IT之家援引TrendForce（集邦）最新预测，指出DRAM与NAND闪存市场在2027年将呈现截然不同的供需格局。DRAM方面，供给紧张局面将贯穿2027年全年，价格走势偏强，主要原因包括：多数DRAM新厂投片放量时间落在2027年下半年，而真正显著的产出贡献要到2028年才会发酵；同时，HBM（高带宽内存）制造流程对先进制程产能的持续挤占，进一步压缩了普通DRAM的供给弹性。NAND闪存方面，供给则将在2027年下半年趋向宽松，价格可能面临修正压力。原因在于各大NAND厂商加速向更高层数（如300层以上）产品升级，新厂产能也在逐步释放，使得按容量计算的供给增速显著快于DRAM。TrendForce强调，HBM的旺盛需求是支撑DRAM价格偏强的重要因素——AI服务器对HBM的依赖度持续提升，而HBM生产过程中需要占用大量DRAM晶圆产能，且良率相对较低，进一步加剧了DRAM的整体供给紧平衡。此外，DRAM与NAND在技术路线上的差异也导致扩产周期不同：DRAM新厂建设到量产通常需要2-3年，而NAND通过堆叠层数提升容量，扩产弹性更大。因此，尽管两大存储芯片市场均受AI需求拉动，但供给端的时间错配将导致DRAM持续紧缺、NAND逐渐过剩的分化格局。该预测对存储产业链的布局具有重要参考意义，尤其对DRAM相关厂商形成中长期利好，而对NAND厂商则构成潜在压力。