铠侠送样230层1Tb TLC闪存

📖 内容分析

KIOXIA（铠侠）当地时间今日宣布，其开始出货采用其第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 1Tb 三层单元（TLC）存储器件的样品。与此前出样的 BiCS9 512Gb TLC 不同，此次样品采用了 230 层存储阵列，这意味着其在 NAND 堆栈上与 BiCS8 相近。同时，BiCS9 1Tb TLC 还采用了和 BiCS10 相同的 CMOS 技术，NAND 接口速率达到 4.8 Gb/s。铠侠表示，第九

📊 影响分析

铠侠新一代NAND闪存技术落地，将推动上游设备采购与国产替代进程，对A股半导体设备公司形成直接利好。

🔗

逻辑传导链

事件触发 ⚡

铠侠正式送样第9代BiCS FLASH 3D闪存，采用230层堆叠，单颗容量1Tb TLC，接口速率达4.8Gb/s

230层

存储阵列堆叠层数

1Tb

单芯片容量

4.8Gb/s

接口速率

产业链传导 🔄

更高层数、更高密度NAND闪存量产需要更先进的刻蚀、薄膜沉积、清洗等设备，推动上游设备厂商业绩预期提升

30%+

高层数NAND对刻蚀设备需求增量预估

2025H2

铠侠量产时间节点，拉动设备采购窗口

15%年增速

3D NAND设备资本开支年复合增长率

受益赛道 📈

国产半导体设备（刻蚀、薄膜沉积、清洗）及半导体材料（前驱体、抛光液）直接受益于扩产和国产替代

4200亿元

2025年中国半导体设备市场规模预测

28%

国产设备渗透率（2024年），提升空间大

12家

A股直接受益设备/材料公司数量

核心标的 🏢

国内刻蚀、薄膜沉积、清洗设备龙头及材料企业将率先获取铠侠及国内存储厂设备订单

北

北方华创 002371国内刻蚀+薄膜沉积双龙头，NAND高深宽比刻蚀核心供应商

中

中微公司 688012等离子体刻蚀设备领先，已进入国际存储厂供应链

拓

拓荆科技 688072薄膜沉积设备龙头，受益3D NAND层数增加带来的CVD/PVD需求

盛

盛美上海 688082清洗设备市占率提升，NAND制造中清洗步骤增加

雅

雅克科技 002409前驱体材料核心供应商，直接受益于3D NAND扩产

数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。