三星GaN代工试产受阻

据韩媒 TheElec 今日报道，三星电子的 GaN（氮化镓）半导体 8 英寸晶圆代工项目在试产阶段遭遇瓶颈。原因是在试产过程中，部分芯片被发现在高温环境下无法正常工作。受此影响，原本设定的年内实现量产的目标预计将面临阻碍。据多位行业知情人士透露，三星电子在龙仁市器兴园区建立了月产能约 1300 至 1500 片晶圆的 8 英寸氮化镓半导体代工专用生产线，并于近期对一些无晶圆厂模式公司（Fabless）提交的芯片进行了试产。然而在此期间发现，部分芯片在 100℃ 至 200℃ 的高温环境中连续暴露约 1000 小时后，会出现停止工作的现象。GaN 半导体主要应用于 1200V 的高压以及超过 200℃ 的高温环境中。凭借在高温条件下仍能稳定工作的特性，它被广泛应用于电动汽车、机器人技术和数据中心等领域。因此有业内反馈指出，若采用三星电子现有的工艺路线进行生产，芯片的可靠性将达不到使用标准。IT之家获悉，三星电子目前正在排查芯片发生缺陷的原因