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据IT之家8月2日报道，英特尔正全力推进俄亥俄州晶圆厂综合体建设，这座占地约1000英亩（约405公顷）的园区将用于生产“埃米时代”制程节点，包括18A和14A工艺。为加快进度，英特尔已开始发放高额加班奖金，激励员工加速建设，最终目标是在2031年实现14A工艺的大规模量产。该园区全面运营后，将成为英特尔在先进制程领域的重要支柱。与此同时，英特尔的EMIB-T先进封装技术也迎来重大利好，目前该技术良率已接近90%，唯一尚未解决的关键瓶颈是基板良率。EMIB（嵌入式多芯片互连桥）是英特尔在异构集成领域的核心封装技术，能够实现高密度、低延迟的芯片间互连，对高性能计算、AI芯片等应用至关重要。基板作为封装中的关键材料，其良率直接影响到最终产品的成本和性能。如果基板良率问题得到解决，EMIB-T将具备大规模量产条件，有望进一步巩固英特尔在先进封装领域的领先地位。英特尔同时推进晶圆厂建设和封装技术突破，表明其正试图通过“制造+封装”双轮驱动战略，在AI芯片、数据中心等高端市场重新夺回技术优势。这一系列动作也将对全球半导体产业链产生深远影响，尤其是对封装设备、IC载板、先进材料等细分领域带来需求拉动。