全球内存ETF再纳中国芯片龙头

📖 内容分析
根据IT之家8月3日报道,全球最火内存ETF——Roundhill Memory ETF(DRAM)于7月底完成最新一次调仓,再度将A股公司长鑫科技纳入投资组合,其权重为2.52%,位列该ETF第八大重仓股。与此同时,此前已在该ETF中的兆易创新权重从2.91%降至1.51%,位列第十大重仓股。值得注意的是,兆易创新于2026年6月首次被该ETF纳入,当时权重为2.91%,同样位列第八,而此次调仓后权重缩水近半。Roundhill Memory ETF由Roundhill Investments发行,于2026年4月2日在美国Cboe BZX交易所挂牌上市,是全球首只以纯内存芯片为投资主题的ETF,跟踪专注内存半导体领域的标的,涵盖DRAM、NAND Flash及相关产业链。长鑫科技作为中国DRAM制造龙头,再次被纳入反映其技术实力与全球影响力提升;而兆易创新权重下降可能源于其业务结构以NOR Flash和MCU为主,与纯DRAM主题契合度相对较低,或面临基金调仓时的配置调整。该ETF的持仓变化往往被视为全球资金对内存芯片行业景气度及公司竞争力的风向标。
📊 影响分析
Roundhill Memory ETF调仓长鑫科技权重提升,强化中国存储产业链资本叙事,利好设备封测环节;兆易创新权重下降短期情绪承压,但长期仍受益于DRAM生态
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逻辑传导链

事件触发 ⚡
全球最火内存ETF Roundhill Memory ETF在7月底调仓,长鑫科技权重提升至2.52%位列第八大重仓,兆易创新权重降至1.51%位列第十
2.52%权重
长鑫科技新权重
1.51%权重
兆易创新新权重
1.01百分点
权重变化差值
产业链传导 🔄
ETF调仓强化国际资本对中国存储产业链的认可,资本叙事传导至上游设备及封测环节,带动市场对国产DRAM扩产及配套需求的预期升温
+15%周涨幅
存储设备板块预期情绪升温幅度
2.5
DRAM设备国产替代渗透率提升空间
受益赛道 📈
设备与封测环节直接受益于长鑫存储扩产节奏及资本开支增加,尤其是刻蚀、薄膜沉积、测试及封装领域
120亿元
2025年长鑫资本开支预估
35%%
封测环节国产化率目标
核心标的 🏢
长鑫科技产业链上游设备及封测核心供应商,融资情绪提振下估值有望修复
长电科技 600584国内封测龙头,深度绑定长鑫DRAM封装需求
中微公司 688012刻蚀设备核心供应商,长鑫扩产直接受益
北方华创 002371薄膜沉积/刻蚀设备全覆盖,存储客户占比高
华天科技 002185存储封测重要供应商,随长鑫产能爬坡放量
兆易创新 603986权重下降短期承压,但长期仍受益于DRAM生态协同

数据来源:行业公开数据、公司财报、券商研报,仅供参考,不构成投资建议。