联发科AI ASIC量产计划与封装进展

联发科在2026年Q2财报电话会议上公布了AI ASIC加速器产品路线图。首款AI ASIC加速器预计2026年Q2进入量产阶段，第二款产品开发进展顺利，有望2028年启动初步生产并在同年内量产。联发科已将英特尔代工EMIB-T与台积电CoWoS并列，均视为其可用的关键2.5D异构集成先进封装技术。联发科代表对分析师“EMIB正朝2028年量产的目标稳步推进”的看法表示肯定。此外，联发科透露其448G SerDes高速I/O IP开发顺利，继续在台积电COUPE平台上开发CPO光互联系统解决方案，同时提供端到端的3.5D立体堆叠高阶芯片平台。这些信息表明联发科在AI芯片领域持续加大投入，不仅依赖台积电，还积极与英特尔代工合作，以多元化供应链保障先进封装能力。同时，高速互联技术的突破为未来AI芯片性能提升奠定基础，448G SerDes将显著提升芯片间数据传输速率，CPO光互联则有望解决功耗和带宽瓶颈。联发科3.5D立体堆叠平台则进一步提升了芯片集成度和性能密度。整体来看，联发科正从智能手机芯片向AI基础设施芯片领域拓展，与英伟达、博通等竞争。