铠侠闪迪发布332层QLC闪存

📖 内容分析

铠侠株式会社今天宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元（QLC）3D 闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高 60% 位密度提升（超 37Gb / mm²）。据介绍，第十代 QLC NAND 闪存采用了双方自主研发的 CMOS 直接键合阵列（CBA）技术，可在不同的晶圆上制造 CMOS 逻辑电路、存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆（

📊 影响分析

新一代QLC NAND闪存技术提升存储密度与速率，利好国内半导体设备及存储相关企业，但国产替代进程仍存差距。

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逻辑传导链

事件触发 ⚡

铠侠与闪迪联合发布业界首款第十代332层QLC NAND闪存，位密度提升60%达37Gb/mm²，接口速率4.8Gb/s

60%

位密度提升幅度

37Gb/mm²

位密度绝对值

4.8Gb/s

接口速率

产业链传导 🔄

更高层数+更高密度需要更精密的刻蚀、薄膜沉积、键合等设备，拉动上游半导体设备采购需求；同时单GB成本下降将刺激下游数据中心、企业级SSD等存储需求

332层

堆叠层数

60%

位密度提升→成本下降幅度预期

4.8Gb/s

接口速率→数据传输效率提升

受益赛道 📈

上游半导体刻蚀/薄膜设备商、国产存储芯片制造设备商、以及服务器/数据中心等大容量存储需求方受益

刻蚀+薄膜

NAND扩产核心设备

服务器

高密度存储降本驱动需求

国产替代

技术差距仍存但追赶加速

核心标的 🏢

北方华创、中微公司受益于3D NAND设备采购浪潮，浪潮信息受益于存储成本下降带来的服务器需求增长

北

北方华创 002371刻蚀/薄膜沉积设备核心供应商，NAND扩产直接受益

中

中微公司 6880123D NAND多层化推动刻蚀设备需求，技术壁垒高

浪

浪潮信息 000977高密度QLC SSD降低服务器TCO，AI/数据中心需求增长

数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。