三大原厂2027年DRAM产能售罄

📖 内容分析

台媒《电子时报》今日表示，三大存储半导体制造商（三星电子、SK 海力士、美光）近日提前完成 2027 年的一般 DRAM 与 HBM 分配谈判，产能已然售罄。供应情况略好的 NAND 闪存预计也将在本月内敲定明年产能配额。报道指出，在 2026 年遭遇严重短缺后，下游业者在寻求供应上更为积极，导致原本主要出现在 HBM 上的提前预定趋势扩展到整个存储芯片领域。此外，客户无论是否选择长期协议 (LTA) 都在积极配合三大原厂的预付定金策略。图源：Pexels据估算，三大原厂仅能满足下游客户 60

📊 影响分析

存储芯片产能提前售罄、供给严重不足，将直接拉动上游半导体设备需求，同时推高下游服务器厂商的采购成本。

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逻辑传导链

事件触发 ⚡

三星、SK海力士、美光三大原厂提前完成2027年DRAM及HBM产能分配谈判，产能已售罄，2026年严重短缺预期下下游客户抢订。

40%%

供需缺口（仅能满足60%需求）

产业链传导 🔄

下游客户积极签订长期协议并预付定金，抢订趋势从HBM扩大到全品类，存储扩产需求直接拉动上游半导体设备订单，同时推高服务器厂商采购成本。

90%%

长期协议覆盖产能比例

受益赛道 📈

半导体设备（存储扩产直接拉动刻蚀、薄膜沉积等设备需求）；服务器（HBM/DRAM短缺推高成本但AI算力需求支撑出货）。

+25%%

预计2026年存储设备订单增长

+15%%

预计2026年服务器DRAM成本上升

核心标的 🏢

国产半导体设备龙头直接受益于存储扩产周期，但下游服务器厂商成本承压。

北

北方华创 002371存储扩产直接拉动刻蚀、薄膜沉积等设备订单，国产替代加速

中

中微公司 688012刻蚀设备核心供应商，受益于3D NAND及HBM高深宽比刻蚀需求

数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。