← 返回产研社
Neo发布2T SRAM，缓存容量提升5倍
产研7*24
·
24分钟前
·
芯片与算力
📖 内容分析
受益赛道：AI芯片设计、存储芯片IP、先进封装
📊 影响分析
Neo的2T SRAM技术有望推动AI芯片片上缓存容量实现5倍跃升，直接利好国内AI芯片设计及存储IP企业，加速推理性能提升。
🔗
逻辑传导链
事件触发 ⚡
Neo Semiconductor在FMS 2026发布双晶体管2T SRAM，宣称可将片上缓存容量提升5倍至GB级别
5倍
缓存容量提升倍数
GB级
片上缓存容量水平
2026
年
发布事件时间
产业链传导 🔄
2T SRAM技术突破6T SRAM扩展瓶颈，使AI芯片推理时更大模型可驻留片上缓存，降低对外部HBM带宽依赖，推动存储IP与芯片设计流程重构
30%-50%
%
推理延迟降低幅度预估
2-3倍
单芯片AI推理吞吐量提升预估
2027-2028
年
量产导入时间窗口
受益赛道 📈
AI推理芯片设计、先进存储IP授权、先进封装（3D堆叠缓存）三大赛道直接受益
15%-25%
%
国内AI芯片推理性能提升空间
8-12家
家
可参与竞争的国内存储IP/设计企业数量
30%+
%
相关IP授权费年增速预期
核心标的 🏢
国内AI芯片与存储IP龙头率先受益，其中寒武纪与芯原股份弹性最大
寒
寒武纪 688256
思元系列AI芯片可集成2T SRAM，推理性能跃升直接拉动产品竞争力
海
海光信息 688041
海光DCU若采用2T SRAM，大模型推理吞吐量将显著提升
芯
芯原股份 688521
提供存储IP授权，可协助客户适配2T SRAM设计，IP业务收入弹性大
北
北京君正 300223
自主SRAM IP积累深厚，有望率先获得2T SRAM技术授权合作
通
通富微电 002156
先进封装工艺可支撑2T SRAM 3D堆叠，封测订单增量明确
数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。