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SK海力士V10闪存堆叠375层
产研7*24
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30分钟前
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应用落地
📖 内容分析
SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认，其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计。这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。SK 海力士宣称 V10 NAND 实现了上代产品 2.5 倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的 AI 基础设施环境而优化。SK 海力士计划 2027H1 量产基于 V10 NAND 的企业级固态硬盘。SK 海力士在展示 V10 1Tb TLC 晶圆的同时还展示了两款成品颗粒：32
📊 影响分析
SK海力士V10闪存导入晶圆键合技术并提升能效，直接拉动上游设备需求及AI服务器存储升级。
数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。