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据IT之家8月7日报道，台积电在下一代半导体技术领域取得重大突破，联合阳明交通大学团队成功研发出高性能单层二硫化钼（MoS₂）顶栅极晶体管，相关研究成果已发表于学术期刊《自然-电子学》。业界指出，为突破摩尔定律极限，当半导体制程迈入1纳米以下节点时，寻找新材料已成为必然趋势。二硫化钼作为备受瞩目的新型二维半导体材料，预计将在约1纳米以下的0.7纳米（A7制程）/CFET（互补场效应晶体管）时代正式引入。目前，包括应用材料、阿斯麦（ASML）、爱思强（AIXTRON）、ASM International以及泛林集团（Lam Research）在内的半导体设备巨头，均在积极投入研发对应二硫化钼新材料的设备与技术需求。该技术突破的关键在于实现了单层MoS₂材料的高质量生长与顶栅极结构的精确制备，从而克服了传统硅基晶体管在极薄沟道下的短沟道效应与漏电流问题。台积电团队通过优化化学气相沉积工艺和栅极堆叠设计，使晶体管表现出优异的开关比和载流子迁移率，为未来超低功耗、超高运算速度的芯片提供了可能。手机、电脑乃至未来的AI智能设备，都需要运算速度更快、功耗更低的半导体芯片，而这一突破将推动后硅时代半导体产业的演进。