三星HBM4良率接近80%

韩媒《首尔经济日报》当地时间 9 日援引消息人士的话报道称，三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%，即将达成原定 2026 年底实现的目标；更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。业内消息源称，三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右，远不能达到 DRAM 行业大规模商业化所需水平，这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。而随着良率的持续增长，该企业已确保能在 HBM4 上收获丰厚的回报，自然愿意将更多 DRAM 晶圆产能分配到 HBM4 上来。有消息称，三星电子计划将本季度的 HBM4 销售额扩大到上季度的 3