← 返回产研社

三星1nm制程将用High NA EUV

产研7*24 · 2小时前 · 芯片与算力
📖 内容分析
根据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日的现场采访报道，来自三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的 박창민 (Park Chang Min) 表示，该企业计划在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设备的商业化应用。박창민在首尔举行的 NGL 2026 学术会议上表示，对于 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个近期节点来说，High NA EUV 光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在 1nm 级成为刚需，因
📊 影响分析
三星推进1nm High NA EUV商业化，将加速全球半导体设备技术迭代，国内设备商有望在配套环节（如刻蚀、薄膜沉积）获得增量需求，但光刻机核心环节仍受制于海外垄断。
🔗

逻辑传导链

事件触发 ⚡
三星宣布计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业化应用，标志着先进制程光刻技术进入新阶段。
1nmnm
目标制程节点
0.55NA
高数值孔径光刻
2027E年
预计量产时间
产业链传导 🔄
推动全球半导体设备技术迭代，光刻机及配套设备（刻蚀、薄膜沉积等）需求增加，设备产业链升级。
4亿欧元欧元/台
High NA EUV光刻机单价
1000亿美元美元
2024年全球半导体设备市场规模
30%%
光刻设备占半导体设备投资比重
受益赛道 📈
半导体设备赛道受益，尤其是光刻配套工艺设备（刻蚀、薄膜沉积、量测等），但光刻机核心环节受海外垄断。
20%%
国内半导体设备国产化率(2023)
30%%
2027年国产化率目标
15%%
刻蚀设备国产化率(2023)
核心标的 🏢
国内半导体设备龙头及配套设备商有望受益于增量需求，但光刻机核心环节仍受制于海外垄断。
北方华创 002371国内半导体设备龙头，刻蚀/薄膜沉积等关键工艺设备直接受益于先进制程扩产需求
中微公司 688012刻蚀设备龙头，在3D NAND和逻辑先进制程中刻蚀需求提升
拓荆科技 688072薄膜沉积设备厂商，受益于高精度薄膜沉积工艺要求增加

数据来源：行业公开数据、公司财报、券商研报，仅供参考，不构成投资建议。