英特尔重返内存市场探堆叠技术

原文内容概括缩写： IT之家8月13日消息，英特尔CEO陈立武在谈及美国芯片产业复兴时透露，曾被认为属于“商品化业务”的新型存储架构，如今已成为具有战略意义的领域，也是他本人重点关注的项目之一。他还表示，存储行业正处于创新的关键时期，并暗示英特尔正在探索将存储堆叠在CPU上方的方案。陈立武指出，经过多年的商品化竞争，存储芯片在最近几个季度重新成为战略资产，而且这种情况可能还会持续一段时间。因此，全球主要的3D NAND和DRAM制造商如今都变成了利润丰厚的企业。英特尔CEO陈立武对此显然非常关注。他回忆道：“过去我的想法是，‘不要投资存储芯片，因为这是一项商品化业务’，但现在情况已经不同了。”他补充说：“现在有大量新技术正在出现。所以，我们正在关注。”陈立武的表态意味着英特尔可能重新进入内存市场，这一领域此前英特尔曾因竞争激烈和利润率低而退出。目前，全球存储市场由三星、SK海力士、美光等巨头主导，英特尔的回归将加剧竞争，但同时也会推动技术创新，尤其是3D堆叠、HBM（高带宽内存）等先进封装技术。英特尔在CPU领域拥有深厚积累，将存储与CPU堆叠有望实现更低的延迟和更高的带宽，这对AI、高性能计算等领域意义重大。此外，陈立武还强调美国芯片产业复兴需要政府支持，并呼吁建立更强大的本土供应链。英特尔此举可能带动美国本土存储制造产能扩张，同时也将影响全球设备、材料、封测等产业链环节。对于中国存储产业而言，英特尔的重返可能带来技术路线竞争，但也为国产替代提供了新的参照系。